RB886CS

ROHM Semiconductor

描述
肖特基势垒二极管
频率
1 MHz
峰值反向电压
5 V
前向连续电流
0.01 mA
电容
0.8 pF

RB851Y

ROHM Semiconductor

描述
肖特基势垒二极管
频率
1 MHz
峰值反向电压
3 V
前向连续电流
0.03 mA

RB886G

ROHM Semiconductor

描述
肖特基势垒二极管
频率
1 MHz
峰值反向电压
5 V
前向连续电流
0.01 mA
电容
0.8 pF

RB876W

ROHM Semiconductor

描述
肖特基势垒二极管
频率
1 MHz
峰值反向电压
5 V
前向连续电流
0.01 mA
电容
0.8 pF

RB861Y

ROHM Semiconductor

描述
肖特基势垒二极管
频率
1 MHz
峰值反向电压
5 V
前向连续电流
0.01 mA
电容
1.1 pF

RB886Y

ROHM Semiconductor

描述
肖特基势垒二极管
峰值反向电压
15 V
前向连续电流
0.01 mA
电容
0.8 pF

TFZFH4.7B

ROHM Semiconductor

描述
4.7 V,汽车用齐纳二极管
齐纳电压
4.7 V
齐纳电流
20 mA
功率
500 mW
封装类型
表面封装

VMZ6.8NFH

ROHM Semiconductor

描述
6.8 V,汽车用齐纳二极管
齐纳电压
6.8 V
齐纳电流
5 mA
功率
150 mW
封装类型
表面封装

EDZV20B

ROHM Semiconductor

描述
20 V,标准齐纳二极管
齐纳电压
20 V
齐纳电流
5 mA
功率
150 mW
封装类型
表面封装

KDZ11B

ROHM Semiconductor

描述
11 V,标准齐纳二极管
齐纳电压
11 V
齐纳电流
20 mA
功率
1 W
封装类型
表面封装

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